Tööstuse teave

Materjali järgi: ränitransistorid, germaaniumtransistorid

23. detsembril 1947 New Jerseys Murray Hillis asuvas Bell Labsis kolm teadlast – Dr. Bardeen, dr Brighton ja dr Shockley tegid katseid intensiivse,...

Bipolaarne ristmiktransistor (BJT) on kolme{0}}klemmiga pooljuhtseade, mis koosneb kahest PN-siirdest, mille moodustavad emitteri, aluse ja kollekt...

Pöördepinge mõõtmiseks näitab ekraan päripinget (ränidioodide puhul 0,5-0,7 V, germaaniumdioodide puhul 0,2-0,3 V).

Jälgige korpusel olevaid märgistusi. Tavaliselt on korpusele märgitud dioodi sümbol; kolmnurkse noolega ots on positiivne klemm ja teine ​​ots on n...

Dioode on mitut tüüpi. Kasutatava pooljuhtmaterjali põhjal võib need jagada germaaniumdioodideks (Ge dioodid) ja ränidioodideks (Si dioodid).

Kristalldiood on ap-n-siirde, mille moodustavad p--tüüpi ja n--tüüpi pooljuhid. Liidese mõlemale küljele moodustub ruumilaengukiht ja tekib sisseeh...

Diood on kahe-klemmiga seade, mis koosneb ap--tüüpi pooljuhist (leegitud kolmevalentse booriga) ja n--tüüpi pooljuhist (viievalentse fosforiga lege...